بررسی مُدهای فونون های اپتیکیدر یک نانوساختارِ نیمه رسانا

نویسندگان

عباس شاه بندی قوچانی

چکیده

به کمکِ تقریب دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه ای از جنس gaas در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی gaxal1-xas بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخۀ متفاوت ( so1, so2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می دهند. با افزایش بردارِ موج ( )، بسامد هر یک از مدهای فونونی به بسامد یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می شود.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی مُدهای فونون‌های اپتیکیدر یک نانوساختارِ نیمه‌رسانا

  به کمکِ تقریبِ دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون‌های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه‌ای از جنس GaAs در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخۀ متفاوت ( SO1, SO2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می‌دهند. با افزایشِ بردارِ موج ( )، بسامدِ هر یک از مدهای فونونی به بسامدِ یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می‌شود.

متن کامل

گذار مات رسانا-نارسانا در مدل هابارد دوبعدی نیمه پر

We study the Mott transition in the two dimensional Hubbard model by using the variational cluster approximation. The transition potential obtained is roughly Uc ≈ 2 and 6 for square and triangular lattices, respectively. A comparison between results of this approximation and other quantum cluster methods is presented. Our zero-temperature calculation at strong coupling show that the transition...

متن کامل

بررسی نظری و عملی سلولهای خورشیدی از نوع نیمه رسانا-نیمه رسانا ‏‎si, cuinse2/gaas‎‏

در این رساله هدف آشنایی با انواع پیلهای خورشیدی و توان، بازده، و اصول کار آنهاست. بدین منظور پس از بررسی کلی طرز کار سیستمهای خورشیدی و معرفی انواع آن، مطالعه خواص اساسی نیمه هادی ها را ضروری میدانیم و عمدتا با فیزیک نیمه هادیهای ‏‎si, cuinse2, gaas‎‏ سروکار داریم. سپس سلول خورشیدی بعنوان واحد دریافت کننده انرژی خورشیدی و تبدیل آن به انرژی الکتریکی محور بحث است و در این راستا جذب نور و تولید حا...

15 صفحه اول

مطالعه جذب و پاشندگی نوری در یک سیستم هیبریدی نیمه رسانا- نانوذره فلزی: جفت شدگی پلاسمون- اکسایتون

در این مقاله، به بررسی خواص اپتیکی یک سیستم هیبریدی متشکل از یک نیمه رسانای (نقطه کوانتومی) که در مجاورت یک نانو-ذره‌ی فلزی با تقارن کروی و بیضوی قرار دارد، پرداختهمی‌شود. جذب و پاشندگی مربوط به میدان الکترومغناطیسی در این سیستم، با استفاده از نظریه نیمه کلاسیکی و از روش ماتریس چگالی بدست آمده و بصورت عددی محاسبه شده‌اند. در شبیه سازی های عددی، جنس نانوذره از فلزات طلا و نقره انتخاب شده است، زی...

متن کامل

گذار مات رسانا-نارسانا در مدل هابارد دوبعدی نیمه پر

در این مقاله , گذار مات در مدل هابارد دوبعدی با استفاده از روش تقریبی وردشی خوشه ای بررسی شده است. پتانسیل گذار برای شبکه مربعی تقریباًuc ≈ 2  و برای شبکه مثلثی به دست آمده است. مقایسه ای بین نتایج به دست آمده از روش وردشی خوشه ای و سایر روشهای تقریبی خوشه ای کوانتمی انجام شده است. محاسبات انجام شده در دمای صفر و برهم کنش قوی نشان می دهد که گذار مات هم در شبکه مثلثی و هم در شبکه مربعی در مقایسه ...

متن کامل

تهیه پوشش نیمه رسانا از نانوورقه‌های گرافن سنتز شده با لیزر

بهره‌گیری از رسانایی بالای لایه های نازک، یکی از مهم‌ترین اهداف پروژه‌ها در حوزه کاربرد خواص الکترونیکی مواد گرافن‌دار می باشد. نانوورقه‌های گرافن، صفحه‌های موازی متشکل از چندین لایه گرافن با ضخامت کمتر از 100 nm هستند. در این کار ابتدا مستقیماً نانوورقه‌های گرافن سنتز شده با لیزر با کمک پراکنده ‌ساز تجاری DEKAMOL PES، در یک محیط آبی پراکنده شدند که نتیجه آن تشکیل سلی پایدار بود. در این مرحله سل...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
مجله فیزیک کاربردی

ناشر: دانشگاه الزهرا

ISSN 2345-4911

دوره 4

شماره 1 2015

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023